Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
| Производитель | Samsung |
| Вес (грамм) | - |
| Количество модулей в комплекте (шт) | 1 |
| Пропускная способность (МБ/с) | 44800 |
| Высота (мм) | - |
| Поддержка ECC | Нет |
| гарантия | 3 года |
| CAS Latency (CL) | - |
| Тип модуля | SO-DIMM |
| Поддержка водяного охлаждения | - |
| Низкопрофильная | Нет |
| Радиатор | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Производитель | Samsung |
| Количество контактов | 262 |
| Row Precharge Delay (tRP) | - |
| Дополнительная информация | - |
| описание | Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung |
| Модель | M425R1GB4BB0-CWM |
| Объем одного модуля (ГБ) | 8 |
| manufacturerCountry | Филиппины |
| название | Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM |
| Напряжение (В) | 1.1 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | - |
| Тайминги | - |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| gtdNumber | 10005030/301123/5031268/002 |
| Чип | - |
| Частота (MHz) | DDR5 - 5600 |
| Поддержка Reg | Нет |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | - |
| Нормальная операционная температура (Tcase) | - |
| Общий объем памяти (ГБ) | 8 |
| Количество чипов на модуле | - |
| Габариты (мм) | - |
| Расширенная операционная температура (Tcase) | - |
| rusName | [Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM |
| Потребление энергии | - |
| Линейка | - |
| сайт производителя | http://www.samsung.com/ |
Категории: Память для ноутбуков
Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!