Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Купить Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

M386A8K40DM2-CWE
23 240
Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
Количество модулей в комплекте (шт) 1
Пропускная способность (МБ/с) 25600
Производитель Samsung
Вес (грамм) -
Поддержка ECC Есть
гарантия 1 год
ширина(см) 3
Высота (мм) -
Тип модуля DIMM
Поддержка водяного охлаждения Нет
CAS Latency (CL) 22
Радиатор Нет
Низкопрофильная Нет
Производитель Samsung
Количество контактов 288
Подсветка Нет
длина(см) 13
описание Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
Row Precharge Delay (tRP) -
Дополнительная информация -
manufacturerCountry КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА
Модель M386A8K40DM2-CWE
Объем одного модуля (ГБ) 64
Напряжение (В) 1.2
название Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
высота(см) 0.2
RAS to CAS Delay (tRCD) -
GTIN 00000000000000
gtdNumber 10005030/121022/3276015
Тайминги 22
Тип оборудования Оперативная память
Поддержка Reg Есть
Чип -
Частота (MHz) DDR3 - 3200
Общий объем памяти (ГБ) 64
Activate to Precharge Delay (tRAS) -
Нормальная операционная температура (Tcase) 75 °C
масса(кг) 0.09
Количество чипов на модуле -
Габариты (мм) -
rusName [Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Расширенная операционная температура (Tcase) 85 °C
сайт производителя http://www.samsung.com/
Потребление энергии -
Линейка Нет

Категории: Память серверная (ECC, ECC Registered, Fully Buffered)

Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!