Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Купить Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

M386A8K40DM2-CWE
23 240
Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
Производитель Samsung
Вес (грамм) -
Количество модулей в комплекте (шт) 1
Пропускная способность (МБ/с) 25600
ширина(см) 3
Высота (мм) -
Поддержка ECC Есть
гарантия 1 год
CAS Latency (CL) 22
Тип модуля DIMM
Поддержка водяного охлаждения Нет
Низкопрофильная Нет
Радиатор Нет
Подсветка Нет
Производитель Samsung
Количество контактов 288
длина(см) 13
Дополнительная информация -
описание Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
Row Precharge Delay (tRP) -
Объем одного модуля (ГБ) 64
manufacturerCountry КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА
Модель M386A8K40DM2-CWE
Напряжение (В) 1.2
название Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
GTIN 00000000000000
высота(см) 0.2
RAS to CAS Delay (tRCD) -
Тип оборудования Оперативная память
gtdNumber 10005030/121022/3276015
Тайминги 22
Чип -
Частота (MHz) DDR3 - 3200
Поддержка Reg Есть
Activate to Precharge Delay (tRAS) -
Нормальная операционная температура (Tcase) 75 °C
Общий объем памяти (ГБ) 64
Количество чипов на модуле -
Габариты (мм) -
масса(кг) 0.09
Расширенная операционная температура (Tcase) 85 °C
rusName [Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Потребление энергии -
Линейка Нет
сайт производителя http://www.samsung.com/

Категории: Память серверная (ECC, ECC Registered, Fully Buffered)

Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!