Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Купить Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

M425R1GB4BB0-CWM
3 000
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Пропускная способность (МБ/с) 44800
Производитель Samsung
Вес (грамм) -
Количество модулей в комплекте (шт) 1
гарантия 3 года
Высота (мм) -
Поддержка ECC Нет
Поддержка водяного охлаждения -
CAS Latency (CL) -
Тип модуля SO-DIMM
Радиатор Нет
Низкопрофильная Нет
Количество контактов 262
Подсветка Нет
Производитель Samsung
Row Precharge Delay (tRP) -
Дополнительная информация -
описание Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Модель M425R1GB4BB0-CWM
Объем одного модуля (ГБ) 8
manufacturerCountry Филиппины
Напряжение (В) 1.1
название Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
RAS to CAS Delay (tRCD) -
gtdNumber 10005030/301123/5031268/002
Тайминги -
Тип оборудования Оперативная память
Поддержка Reg Нет
Чип -
Частота (MHz) DDR5 - 5600
Общий объем памяти (ГБ) 8
Activate to Precharge Delay (tRAS) -
Нормальная операционная температура (Tcase) -
Количество чипов на модуле -
Габариты (мм) -
rusName [Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Расширенная операционная температура (Tcase) -
сайт производителя http://www.samsung.com/
Потребление энергии -
Линейка -

Категории: Память для ноутбуков

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM отзывы

Оставьте отзыв об этом товаре первым!